| Наименование РИД |
Вакуумная камера для кристаллизации перовскитных пленок
|
| Реферат |
Изобретение относится к конструкции вакуумной камеры для кристаллизации перовскита, полученного в комнатном условии.
Техническим результатом, достигаемом в изобретении, являются разработка конструкции вакуумной камеры для кристаллизации перовскита на большой подложке размером до 10 × 10 см2 при комнатной условии. КПД устройств достигает 14,63 % (на ПСЭ размером 50 × 50 мм2) и 14,47 % (размер 100 × 100 мм2) при стандартном условии измерении.
Указанных технический результат достигается следующим образом.
Вакуумная камера для кристаллизации перовскита состоит из камеры с подставкой подложки и ресивера. Корпус вакуумной камеры изготавливается из нержавеющей стали с диаметором 200 ± 10 до 300 ± 10 мм. На ободе камеры имеется паз, предназначенный для размещения резинового конца диаметора 204 ± 2 до 300 ± 2 мм. Высота камеры составляет 250 ± 15 мм. Диаметр окна откачки 50 ± 2 – 200 ± 2 мм. В вакуумной камере установлена подставка для подложек 100 ± 10 × 100 ± 10 мм2. С помощью вакуумной камеры можно разработать полный цикл изготовления всех функциональных слоев перовскитных солнечных элементов таких как перовскитный активной слой, дырочно-транспортный слой на основе NiOx, CuI, CuSCN, PEDOT:PSS и пр., электронно-транспортный слой (например, PCBM, SnO2, ZnO и пр.) и дырочно-блокирующий слой на основе батокупроина (BCP). Крышка вакуумной камеры составляет прозрачная пластина толщиной 5-20 мм из ПЭТ или акриловой с диаметром 200 ± 10 до 300 ± 10 мм. Для обеспечения быстрого процесса вакуумирования к вакуумной камере подключается дополнительной ресивер с внутренним диаметром основания 90 ± 10 мм и длиной с 290 ± 10 до 390 ± 10 мм.
|
| Возможные направления использования |
Изобретение относится к области технологического оборудования для производства полупроводниковых приборов в области фотовольтаики и является вакуумной камерой для постобработки и получения тонких пленок полупроводников и диэлектриков, входящих в состав перовскитных солнечных фотопреобразователей.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
True
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[{"last_status": {"created_date": "2025-11-14T09:41:41.573500+00:00", "registration_number": "825111400126-5", "status": {"name": "Подтверждена"}}, "copyright_protections": [{"protection_way": {"name": "Осуществлена государственная регистрация"}}]}]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-10-15T13:45:06.492940+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Саранин Данила Сергеевич
|
| Руководитель организации |
Босова Елена Владимировна
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
122111700087-6
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625102700050-0, 2025-10-27 07:36:19 UTC
|
| ОКПД |
Оборудование для формирования тонкопленочных структур полупроводниковых приборов
|
| Ключевые слова |
вакуумная камера; фотовольтаика; кристаллизация; перовскит; полупроводниковые пленки
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСИС"
|
| Авторы |
Саранин Данила Сергеевич; Гостищев Павел Андреевич; Лучников Лев Олегович; Ле Тхай Шон
|
| Коды тематических рубрик |
47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
|
| OESR |
Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;
|
