| Наименование РИД |
Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти
|
| Реферат |
Предложен способ создания элемента резистивной памяти, характеризующийся тем, что получают структуру металл-изолятор-металл с расположенным между слоями металла с возможностью переключения сопротивления изолятором в качестве активного слоя, отличающийся тем, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором формируют слой легированного аморфного кремния, изолятор выполняют в виде многослойной структуры из нелегированного аморфного кремния, внутри которого формируют нанометровые слои аморфного германия, чередующиеся с нанометровыми слоями аморфного кремния.
|
| Возможные направления использования |
Может использоваться как аналоговый мемристор, как элемент искусственных нейросетей.
|
| Количество опытных образцов |
4
|
| Количество просмотров |
4
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-10-29T03:56:16.578102+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Гейдт Павел Викторович
|
| Руководитель организации |
Федорук Михаил Петрович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
124022300107-2
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625111100164-2, 2025-11-11 09:23:47 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Ключевые слова |
АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ; АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ; МНОГОУРОВНЕВЫЙ МЕМРИСТОР; РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НОВОСИБИРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
|
| Авторы |
Чэн Юйчжу; Володин Владимир Алексеевич; Камаев Геннадий Николаевич
|
| Коды тематических рубрик |
47.33.29 - Дискретные полупроводниковые приборы
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
