Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния

Наименование РИД	Многоуровневая мемристорная структура на основе аморфного кремния
Реферат	Полезная модель относится к устройствам микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции элемента резистивной памяти, имеющего структуру металл-изолятор-металл, обладающего эффектом переключения проводимости и наличием более двух стабильных резистивных состояний. Мемристорный элемент содержит 3–5 слоев аморфного германия, а подложка выполнена из стекла с содержащимся на ее рабочей поверхности проводящим слоем из оксида индия-олова. Активный слой выполнен из нелегированного аморфного кремния, внутри которого дополнительно сформированы нанометровые слои аморфного германия, чередующиеся с нанометровыми слоями аморфного кремния. Сущность полезной модели заключается в том, что между первым слоем металла и изолятором и между вторым слоем металла и изолятором вводится слой легированного аморфного кремния, а изолятор, выполненный из нелегированного аморфного кремния, внутри себя содержит 3-5 слоев аморфного германия толщиной 6 нм, чередующихся со слоями аморфного кремния толщиной 15 нм.
Возможные направления использования	Может использоваться как аналоговый мемристор, как элемент искусственных нейросетей.
Количество опытных образцов	4
Количество просмотров	7
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-10-29T03:20:53.262845+00:00
Предполагаемый тип результата	Полезная модель
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Гейдт Павел Викторович
Руководитель организации	Федорук Михаил Петрович
Регистрационный номер НИОКТР	124022300107-2
Последний статус	Подтверждена, 625111100165-9, 2025-11-11 09:23:57 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	АМОРФНЫЙ ГЕРМАНИЙ; АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ; РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ; МНОГОУРОВНЕВЫЙ МЕМРИСТОР
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НОВОСИБИРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Авторы	Чэн Юйчжу; Володин Владимир Алексеевич; Камаев Геннадий Николаевич
Коды тематических рубрик	47.33.29 - Дискретные полупроводниковые приборы
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;