| Наименование РИД |
Интегральная схема 6-ти разрядного СВЧ фазовращателя Ка-диапазона частот
|
| Реферат |
Интегральная схема относится к СВЧ монолитным интегральным схемам и представляет собой 6-разрядный фазовращатель для ППМ АФАР, работающий в Ка-диапазоне частот в согласованном (50 Ом) тракте приемо-передающей системы. Конструкция ИМС двунаправленная, с входными и выходными радиочастотными портами, использует двойное напряжение смещения посредством 12 управляемых параллельно контактных площадок для формирования углов отклонения радиочастотного сигнала с шагом 5,625 градуса в мм-диапазоне волн. Микросхема спроектирована с использованием технологии GaAs pHEMT 250 нм, снабжена вскрытыми контактными группами для монтажа и работы на металлическом основании или в системе в корпусе, а также для зондовых исследований на пластине.
|
| Возможные направления использования |
Аппаратура радиолокации и телекоммуникации, а также датчики и сенсоры сантиметровых и миллиметровых диапазонов частот.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
6
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[{"last_status": {"created_date": "2025-12-17T07:48:47.833167+00:00", "registration_number": "825121700058-5", "status": {"name": "Подтверждена"}}, "copyright_protections": [{"protection_way": {"name": "Осуществлена государственная регистрация"}}]}]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-11-06T08:18:16.749874+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Топология интегральных микросхем
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Чаплыгин Юрий Александрович
|
| Руководитель организации |
Дронов Алексей Алексеевич
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
123020600028-4
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625111800062-4, 2025-11-18 08:04:44 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Ключевые слова |
pHEMT; СВЧ; GaAs; АФАР
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
|
| Авторы |
Лосев Владимир Вячеславович; Крупкина Татьяна Юрьевна; Чаплыгин Юрий Александрович; Путря Михаил Георгиевич; Ефимов Андрей Геннадьевич; Хлыбов Александр Иванович; Родионов Денис Владимирович; Котляров Евгений Юрьевич
|
| Коды тематических рубрик |
47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
|
| OESR |
Нано-процессы [применение на наноуровне]; (биоматериалы относятся к разделу 2.9)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
