Способ формирования регулярных массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

Наименование РИД	Способ формирования регулярных массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
Реферат	Позволяет локально формировать на поверхности полупроводниковой подложки Si(111) со слоем собственного окисла регулярные селективные массивы со 100%-ым выходом вертикально ориентированных одиночных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без необходимости использования маскирующих слоев и иных литографических операций за счет локального формирования на подложке методом фокусированных ионных пучков сначала сплошных участков с низкой дозой имплантированных ионов Ga, затем, в пределах данных участков, по заданной топологии формирования точечных областей с высокой дозой ионов Ga, последующего высокотемпературного отжига подложки в условиях сверхвысокого вакуума, в результате чего на участках с имплантированными ионами Ga самосогласованно формируется маскирующий слой с упорядоченным массивом пор, после чего проводится осаждение GaAs, в результате которого в порах формируются регулярные селективные массивы вертикально ориентированных одиночных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов GaAs. Предполагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе.
Возможные направления использования	Позволяет локально формировать на поверхности полупроводниковой подложки Si(111) со слоем собственного окисла регулярные селективные массивы со 100%-ым выходом вертикально ориентированных одиночных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без необходимости использования маскирующих слоев и иных литографических операций
Количество опытных образцов	1
Количество просмотров	4
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-10-28T06:19:29.248543+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Солодовник Максим Сергеевич
Руководитель организации	Максимова Людмила Геннадьевна
Регистрационный номер НИОКТР	125040704904-2
Последний статус	Подтверждена, 625112500294-9, 2025-11-25 18:32:06 UTC
ОКПД	Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
Ключевые слова	Кремний; нитевидные нанокристаллы; отжиг; позиционно-контролируемый рост; нанолитография; арсенид галлия; молекулярно-лучевая эпитаксия; ионная имплантация; фокусированный ионный пучок
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Авторы	Черненко Наталия Евгеньевна; Балакирев Сергей Вячеславович; Шандыба Никита Андреевич; Кириченко Данил Владимирович; Духан Денис Дмитриевич; Еременко Михаил Михайлович; Солодовник Максим Сергеевич; Кугаевский Александр Дмитриевич
Коды тематических рубрик	47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники; 47.09.48 - Наноматериалы для электроники; 29.19.03 - Теория конденсированного состояния; 29.19.31 - Полупроводники
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Материаловедение; Нано-материалы [производство и свойства]; Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;