Способ формирования пленки карбида кремния на подложке диоксида кремния

Наименование РИД	Способ формирования пленки карбида кремния на подложке диоксида кремния
Реферат	Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, в частности к методам нанесения пленки на кремний-содержащие подложки и может быть использовано при создании ряда активных элементов электронных и сенсорных устройств. Изобретение направлено на разработку способа формирования пленки карбида кремния на подложке диоксида кремния с низкими энергозатратами, одинаковым размером частиц, отсутствии примесей в готовом продукте и значительно сокращенным временем синтеза изготовления изделия. Это достигается тем, что способ формирования пленки карбида кремния на подложке диоксида кремния включает синтез пленки на поверхности гетерогенной подложки в плазме высокочастотного газового разряда при совместном нагреве при воздействии шарового электрического разряда в СВЧ-поле частотой 2,45 ГГц, мощностью микроволн 0,8-1,0 кВт в течение 3-4 с, а в качестве гетерогенной подложки используют аморфный диоксид кремния, химически модифицированный углеродом, полученный пиролизом полиметилгидросилоксановой жидкости при температуре 200 °С.
Возможные направления использования	Для создания активных элементов электронных и сенсорных устройств, в том числе для создания элементов защитных конструкций аппаратуры, работающей в агрессивных условиях космического пространства.
Количество опытных образцов	3
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-11-10T13:04:32.129636+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Павленко Вячеслав Иванович
Руководитель организации	Глаголев Сергей Николаевич
Регистрационный номер НИОКТР	123030600047-4
Последний статус	Подтверждена, 625120500095-7, 2025-12-05 06:57:07 UTC
ОКПД	Карбиды
Ключевые слова	карбид кремния; диоксид кремния; кристаллизация; пленка; полупроводник; электрический разряд
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "БЕЛГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. В.Г. ШУХОВА"
Авторы	Черкашина Наталья Игоревна; Гаручава Максим Юрьевич; Павленко Зоя Владимировна; Ястребинский Роман Николаевич; Городов Андрей Иванович; Павленко Вячеслав Иванович
Коды тематических рубрик	29.19.21 - Влияние облучения на свойства твердых тел
OESR	Композитные материалы (включая ламинаты, армированные пластмассы, металлокерамику, комбинированные ткани из натуральных и синтетических волокон; наполненные композиты)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;