| Наименование РИД |
ПЛАНАРНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ КОНЦЕНТРАТОР
|
| Реферат |
В настоящее время исследователи все чаще прибегают к крайним мерам, чтобы получить дополнительную свободу в такой обработке материалов. Введение в полупроводники примесей в концентрациях, превышающих их растворимость, т.е. сверхлегирование, и поверхностное текстурирование — это именно крайняя мера. Новые свойства были получены при использовании такой обработки для всех видов полупроводников, в том числе и кремния (Si). Так, введение бора придало материалу сверхпроводимость, а сверхлегирование халькогенидами и переходными металлами привело к поглощению кремнием света ближнего инфракрасного диапазона. Введение фосфора позволило локализовать поверхностный плазмонный резонанс в среднем инфракрасном диапазоне для Si. Также, путем управления параметрами лазерной записи можно реализовать отдельные и гибкие модификации микроразмерных структурных особенностей, что приводит к созданию светоулавливающих структур, позволяющих произвольным образом менять коэффициент отражения поверхности полупроводников. То есть, новые свойства Si, индуцированные сверхлегированием и текстурированием, расширили области его применения.
|
| Возможные направления использования |
Лазерные методы обработки являются важным технологическим процессом придания новых свойств различным материалам, включая полупроводники.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
3
|
| Наличие дополнительных файлов |
False
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[{"last_status": {"created_date": "2025-12-25T08:10:46.458305+00:00", "registration_number": "825122500107-9", "status": {"name": "Подтверждена"}}, "copyright_protections": [{"protection_way": {"name": "Осуществлена государственная регистрация"}}]}]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-06-21T11:46:06.751196+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Кудряшов Сергей Иванович
|
| Руководитель организации |
Скобелев Николай Михайлович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
124092500004-5
|
| Последний статус |
Подтверждена, 625120500145-9, 2025-12-05 09:06:54 UTC
|
| ОКПД |
Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
фотоприемное устройство; материал с показателем преломления; угловая селективность
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Э. БАУМАНА (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
|
| Авторы |
Кудряшов Сергей Иванович; Сцепуро Никита Геннадьевич; Ковалев Михаил Сергеевич
|
| Коды тематических рубрик |
47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 29.33.47 - Воздействие лазерного излучения на вещество
|
| OESR |
Энергетика и топливо; Нано-материалы [производство и свойства]; Оптика (включая лазерную оптику и квантовую оптику)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
—
|
