Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора

Наименование РИД	Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора
Реферат	Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзистора с низким значением плотности дефектов и повышенной радиационной стойкостью. Способ изготовления радиационно-стойкого полупроводникового прибора включает формирование слоя диоксида кремния, при этом между слоями электронорезиста формируют слой из вольфрама толщиной до 300 нм высокочастотным распылением со скоростью 1 нм/с в атмосфере (Ar+-N2). Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов и повышение радиационной стойкости, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
Возможные направления использования	Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзистора с низким значением плотности дефектов и повышенной радиационной стойкостью.
Количество опытных образцов	1
Количество просмотров	4
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-06T16:00:14.421780+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
Руководитель работы	Хасанов Асламбек Идрисович
Руководитель организации	Саидов Заурбек Асланбекович
Регистрационный номер НИОКТР	—
Последний статус	Подтверждена, 625121100399-7, 2025-12-11 12:59:15 UTC
ОКПД	Нет
Ключевые слова	транзистор; полупроводники; слой диоксида кремния; радиационная стойкость; плотность дефектов
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
Авторы	Хасанов Асламбек Идрисович
Коды тематических рубрик	29.19.31 - Полупроводники
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
Приоритеты научно-технического развития	б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;