Способ изготовления полупроводникового прибора

Наименование РИД	Способ изготовления полупроводникового прибора
Реферат	Использование: изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки и снижения влияния инжекции горячих носителей. Сущность: технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости создавали активные области «-канального полевого транзистора по стандартной технологии, выращивался слой термического оксида SiO2 толщиной 10 нм окислением в сухом кислороде О2 при температуре 850°С и атмосферном давлении в течение 50 мин. Затем проводили процесс азотирования 10-нанометрового термического оксидного слоя SiO2 в среде аммиака NH3 в течение 60 мин при температуре 850°С и давлении 0,1 атм и последующее реоксидирование азотированного оксида в сухом О2 при атмосферном давлении, температуре 850°С в течение 180 мин. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат: реоксидирование обеспечивает удаление электронных ловушек и подавление образования состояний на границе раздела Si/SiO2 и, соответственно, снижение токов утечки и влияния инжекции горячих носителей.
Возможные направления использования	Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки и снижения влияния инжекции горячих носителей.
Количество опытных образцов	1
Количество просмотров	8
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-08T14:27:42.362292+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
Руководитель работы	Хасанов Асламбек Идрисович
Руководитель организации	Саидов Заурбек Асланбекович
Регистрационный номер НИОКТР	—
Последний статус	Подтверждена, 625121100412-3, 2025-12-11 13:02:36 UTC
ОКПД	Нет
Ключевые слова	полевой транзистор; полупроводники; пластина кремния; ток утечки; реоксидирование
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
Авторы	Хасанов Асламбек Идрисович
Коды тематических рубрик	29.19.31 - Полупроводники
OESR	Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
Приоритеты научно-технического развития	б) переход к экологически чистой и ресурсосберегающей энергетике, повышение эффективности добычи и глубокой переработки углеводородного сырья, формирование новых источников энергии, способов ее передачи и хранения;