Способ получения кристалла CdTe для электрооптических модуляторов

Наименование РИД	Способ получения кристалла CdTe для электрооптических модуляторов
Реферат	Изобретение может быть использовано при изготовлении электрооптических приборов на длине волны. Для получения высокочистых элементарных кадмия и теллура предварительно проводят их очистку до чистоты 7N, по крайне мере, трёхкратной дистилляцией в вакууме с уровнем остаточного давления 0,1 Па при температуре порядка 320°С для кадмия и при температуре порядка 450°С для теллура и последующей дополнительной трёхкратной направленной кристаллизацией теллура при температуре порядка 450°С. Высокотемпературный синтез шихты теллурида кадмия из полученных высокочистых элементарных кадмия и теллура с избытком элементарного теллура при его содержании в шихте 60-70 ат. % проводят в течение 4 ч в вакуумированном кварцевом контейнере, выполненном в форме конической ампулы, которую помещают в двухзонную горизонтальную печь, при температуре «горячей» зоны 900-720°С и «холодной» зоны 680-500°С. Затем размещают синтезированную шихту теллурида кадмия и затравочный кристалл CdTe в вершине конуса вакуумированной кварцевой конической ампулы, которую помещают в снабжённую диафрагмой двухзонную печь для осуществления вертикальной направленной кристаллизации CdTe на указанную ориентированную затравку из раствора-расплава. После этого производят нагрев до температуры плавления шихты. В нижней зоне - в зоне кристаллизации, создают вертикальный градиент температуры 1,8-2,0°С/мм, в верхней зоне - в зоне раствора-расплава, создают низкоградиентные условия с градиентом температуры 0,1-0,5°С/мм. Ампулу опускают в нижнюю зону со скоростью 4-5 мм/сут. В процессе кристаллизации температуру обеих зон синхронно снижают, при этом скорость снижения температуры обеспечивает нелинейный, близкий к гиперболическому, характер изменения температуры, который изменяется от 0,1°/ч в начале кристаллизации до 1-3°/ч в конце кристаллизации в течение 15 суток, создавая условия стабилизации границы раздела твёрдое - жидкое. После окончания кристаллизации полученный кристалл CdTe охлаждают со скоростью 5-6°С/ч. Изобретение позволяет получить кристаллы CdTe до 50 мм в длину и диаметром до 35 мм с высоким оптическим пропусканием на длине волны 10,6 мкм, равным 0,01 см-1, и низкой плотностью протяжённых и точечных дефектов.
Возможные направления использования	Нелинейно-оптические кристаллы литиевых халькогенидов являются важными оптоэлектронными материалами, широко используемые в современной оптоэлектронике. Например, проводить мониторинг окружающей среды, диагностировать различные заболевания путем анализа состава выдыхаемого человеком воздуха при неинвазивной медицинской диагностике и т.д.
Количество опытных образцов	5
Количество просмотров	2
Наличие дополнительных файлов	True
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-05-26T04:50:14.976470+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Исаенко Людмила Ивановна
Руководитель организации	Крук Николай Николаевич
Регистрационный номер НИОКТР	122041400031-2
Последний статус	Подтверждена, 625121500340-5, 2025-12-15 12:59:18 UTC
ОКПД	Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
Ключевые слова	ИК-диапазон; фазовый синхронизм; двулучепреломление; оптическая стойкость; коэффициент нелинейности; оптоэлектронные материалы; нелинейно-оптические монокристаллы литиевых халькогенидов
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ГЕОЛОГИИ И МИНЕРАЛОГИИ ИМ. В.С. СОБОЛЕВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Авторы	Криницын Павел Геннадьевич; Исаенко Людмила Ивановна
Коды тематических рубрик	29.33.25 - Нелинейные оптические свойства сред
OESR	Науки о земле – междисциплинарные
Приоритеты научно-технического развития	—