Способ создания структуры кремний-на-изоляторе используя имплантацию ионов гелия

Наименование РИД	Способ создания структуры кремний-на-изоляторе используя имплантацию ионов гелия
Реферат	Изобретение относится к способам, изготовления полупроводниковых приборов, полупроводниковому материаловедению, а точнее, к способу создания изоляционных областей в твердотельной микроэлектронике. Предложен способ получения структуры кремний-на-изоляторе для полной диэлектрической изоляции рабочего кремниевого слоя, включающий стадию имплантации ионов гелия в монокристаллическую кремниевую подложку при температуре не более 25-300°C и энергии имплантации 30-70 кэВ, стадию отжига в инертной атмосфере при температуре 800-1200°C продолжительностью 0,5-3 часа для формирования пористого захороненного слоя и стадию окисления при температуре более 1300°C в окислительной атмосфере в течение 2-10 часов для образования захороненного диэлектрического слоя характеризующийся тем, что стадия имплантации ионов гелия и стадия отжига образуют имплантационный цикл, который повторяют минимум два раза для создания захоронённого слоя пористостью 35% и более, при этом диаметр пор составляет 50-100 нм. Техническим результат заключается в улучшении кристаллического качества поверхностного слоя полупроводника, и, как следствие, улучшении электрических свойств полупроводниковых приборов, создаваемых в этом слое; упрощении способа получения структуры кремний-на-изоляторе; обеспечении возможности применения способа получения структуры кремний-на-изоляторе при использовании различных доз имплантации; повышении радиационной стойкости структуры кремний-на изоляторе. Возможное применение: Предлагаемое изобретение позволяет создавать структуры кремний на изоляторе.
Возможные направления использования	Микроэлектронное производство
Количество опытных образцов	1
Количество просмотров	4
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-11-19T08:55:31.525584+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	Правительство Российской Федерации
Руководитель работы	Шемардов Сергей Григорьевич
Руководитель организации	Алексеева Ольга Анатольевна
Регистрационный номер НИОКТР	121072000040-3
Последний статус	Подтверждена, 625121700270-3, 2025-12-17 12:14:48 UTC
ОКПД	Услуги по проведению научно-исследовательских работ в области использования атомной энергии
Ключевые слова	микроэлектроника; кремний на изоляторе; микросхемы; имплантационная технология
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Авторы	Беклемишева Анна Владимировна; Беклемишев Владимир Николаевич; Александров Пётр Анатольевич; Васильев Александр Леонидович; Шемардов Сергей Григорьевич
Коды тематических рубрик	29.19.31 - Полупроводники; 29.19.21 - Влияние облучения на свойства твердых тел
OESR	Ядерная инженерия (ядерная физика относится к разделу 1.3)
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;