Способ изготовления полупроводникового прибора

Наименование РИД	Способ изготовления полупроводникового прибора
Реферат	Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ согласно изобретению осуществляют следующим образом: формируют базу биполярного транзистора внедрением ионов бора, через слой окисла толщиной 90 нм, при энергии 75 кэВ, дозой 21013 см-2, с последующей термообработкой при температуре 900°С в течении 30 мин и созданием эмиттера внедрением ионов мышьяка при энергии 80 кэВ, дозой 510l5 см-2 и проведением термообработки при температуре 1000°С в течении 3 мин в среде аргона. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных
Возможные направления использования	Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных
Количество опытных образцов	0
Количество просмотров	8
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2025-12-25T14:05:41.546782+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Заказчик и Исполнитель совместно
Заказчик	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МИРЭА - РОССИЙСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Руководитель работы	Мустафаев Арслан Гасанович
Руководитель организации	Бабич Лилия Эркиновна
Регистрационный номер НИОКТР	—
Последний статус	Подтверждена, 626011100219-1, 2026-01-11 19:01:39 UTC
ОКПД	Оборудование сборочное для производства интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов
Ключевые слова	технология производства полупроводниковых приборов; повышение коэффициента усиления; улучшение параметров приборов; повышение качества и увеличение процента выхода годных
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МИРЭА - РОССИЙСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Авторы	Мустафаев Арслан Гасанович; Меркулов Андрей Александрович
Коды тематических рубрик	47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
OESR	Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития	Отсутствует