Способ изготовления полупроводникового прибора
| Наименование РИД | Способ изготовления полупроводникового прибора |
|---|---|
| Реферат | Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженными значениями токов утечек. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р -типа проводимости, ориентации (100) формируют слой Zr02 электронно-лучевым осаждением толщиной 30 нм в атмосфере кислорода при давлении 2,66 • 10-3 Па. Затем проводят отжиг в сухом кислороде или азоте при атмосферном давлении и температуре 800° С. в течение 10 час. После отжига ZiO 2/Si структуры в течение 10 час при температуре 800°С слой Si02 образуется на границе ZrO2/Si в процессе окисления. Ток утечки уменьшается так как слой Si02 действует как барьер для электронов. |
| Возможные направления использования | Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора формированием двухслойного затворного оксида Zr02/Si02 на кремниевой подложке электронно-лучевым осаждением слоя Zr02 толщиной 30 нм в атмосфере кислорода при давлении 2,66 • 10-3 Па, с последующим отжигом в сухом кислороде или азоте при атмосферном давлении и температуре 800° С. . в течение 10 час ,позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надёжность. |
| Количество опытных образцов | 4 |
| Количество просмотров | 5 |
| Наличие дополнительных файлов | False |
| Использование РИД правообладателем | False |
| Внешнее использование РИД | False |
| НИОКТР (JSON) | {} |
| ИКСИ (JSON) | [] |
| ИКСПО (JSON) | [] |
| ОЭСР (JSON) | [] |
| Дата первого статуса | 2025-12-24T09:26:24.848048+00:00 |
| Предполагаемый тип результата | Изобретение |
| Ожидаемая роль | Исполнитель |
| Заказчик | МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
| Руководитель работы | Гаев Дахир Сайдуллахович |
| Руководитель организации | Альтудов Юрий Камбулатович |
| Регистрационный номер НИОКТР | 125071608538-0 |
| Последний статус | Подтверждена, 626011400158-0, 2026-01-14 08:45:17 UTC |
| ОКПД | Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии |
| Ключевые слова | подзатворный диэлектрик; полупроводниковые приборы; полупроводниководник; электронно-лучевое осаждение |
| Исполнители | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Х. М. БЕРБЕКОВА" |
| Авторы | Мустафаев Гасан Абакарович |
| Коды тематических рубрик | 47.33.37 - Приборы функциональной микроэлектроники |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | Отсутствует |