| Наименование РИД |
Программа для измерения скорости роста гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия-алюминия, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
|
| Реферат |
Программа предназначена для измерения скорости роста полупроводниковых слоев на основе нитрида галлия-алюминия, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. В процессе измерения скорости роста гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия-алюминия методом лазерной рефлектометрии регистрируется периодическое изменение интенсивности лазерного излучения от времени в виде рефлектограмм. В процессе вращения и качания держателя с установленным на него образцом во время эпитаксиального роста на рефлектограммах возникает дополнительный высокочастотный сигнал, препятствующий регистрации информативных осцилляций интенсивности лазерного излучения. Программа обеспечивает фильтрацию высокочастотных сигналов с применением быстрого преобразования Фурье с последующей аппроксимацией результатов синусоидальной функцией и вычислением скорости роста по определённому из рефлектограмм периоду осцилляций интенсивности. Быстрое преобразование Фурье производится с помощью функции «fft» из библиотеки «nurnpy», в основе которой лежит алгоритм Кули-Тьюки. Параметры «подгонки» экспериментальных данных определяются итерационно до получения минимального рассогласования χ2 между исходными и расчётными значениями. Программа позволяет задавать материал растущего слоя и температуру его роста, что определяет выбор соответствующего коэффициента преломления. Область применения программы-исследование процессов гетероэпитаксии методом лазерной рефлектометрии. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Windows 10/11.
|
| Возможные направления использования |
Программа предназначена для измерения скорости роста полупроводниковых слоев на основе нитрида галлия-алюминия, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
2
|
| Наличие дополнительных файлов |
True
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2026-01-14T08:42:03.345952+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Программа для ЭВМ
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Милахин Денис Сергеевич
|
| Руководитель организации |
Латышев Александр Васильевич
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
—
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011400549-6, 2026-01-14 10:26:00 UTC
|
| ОКПД |
Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
A3-нитриды; аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия; гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN; скорость роста; БПФ-фильтрация
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
|
| Авторы |
Гилинский Александр Михайлович; Малин Тимур Валерьевич; Мансуров Владимир Геннадьевич; Милахин Денис Сергеевич; Ляпустин Илья Николаевич
|
| Коды тематических рубрик |
29.19.16 - Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела; 29.19.31 - Полупроводники
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
