Способ изготовления многокристального модуля

Наименование РИД	Способ изготовления многокристального модуля
Реферат	Изобретение относится к производству электронной техники, а именно к технологии производства трехмерных модулей и микросборок на основе коммутационных подложек с бескорпусными электронными компонентами, которые могут использоваться в аппаратуре с высоким уровнем плотности монтажа. Задачей изобретения является упрощение технологического процесса сборки и повышение надежности многокристального модуля. Технический результат достигается тем, что на уровнях модуля используются бескорпусные микросхемы, уровни размещаются друг над другом с созданием вертикальной коммутации посредством металлизированных отверстий в кремниевых рамках на каждом уровне, кристаллы размещаются на уровнях в сквозных окнах рамок, сформированных методом прецизионного травления или лазерной микрообработки, зазор между кристаллом и окном рамки заполняется высокотекучим компаундом с наноразмерным наполнителем за счёт капиллярного эффекта и планаризуется с последующим созданием слоев перераспределения непосредственно на кристалле и кремниевой рамке для первого слоя, и на композитном диэлектрике с пониженным ТКЛР и повышенной теплопроводностью для всех последующих слоёв, при этом в первом слое между областью кристалла и кремниевой рамкой формируется коммутация в виде проводящих мостов. Многокристальный модуль включает в себя несколько уровней, расположенных друг над другом, которые могут соединяться между собой через припойные шариковые выводы. Шариковые выводы устанавливаются на внешние контактные площадки слоев перераспределения и монтируются к нижележащему уровню на контакты, ведущие к металлизированным переходным отверстиям в кремниевой рамке. В одном изделии можно разместить несколько уровней с различными кристаллами. На подложке нижнего уровня формируется посадочное место для монтажа модуля на печатную плату. Уровень модуля включает в себя кремниевую рамку со сквозными металлизированными отверстиями. В кремниевой рамке по центру находится сквозное окно или окна, в которое размещаются кристаллы в процессе сборки модуля. Зазор между кристаллом и рамкой заполняется высокотекучим компаундом с наноразмерным наполнителем. Между рамкой и кристаллом возникает впадина, которая образуется из-за усадки компаунда в процессе его отверждения. В предлагаемом способе используется химическое нанесение части проводящих дорожек на первом коммутационном слое через дополнительный шаблон, чтобы заполнить данную впадину.
Возможные направления использования	метод изготовления трехмерных многокристальных микросборок по упрощенному технологическому процессу и с повышенной надежностью
Количество опытных образцов	0
Количество просмотров	1
Наличие дополнительных файлов	False
Использование РИД правообладателем	False
Внешнее использование РИД	False
НИОКТР (JSON)	{}
ИКСИ (JSON)	[]
ИКСПО (JSON)	[]
ОЭСР (JSON)	[]
Дата первого статуса	2026-01-20T14:01:57.878363+00:00
Предполагаемый тип результата	Изобретение
Ожидаемая роль	Исполнитель
Заказчик	МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы	Вертянов Денис Васильевич
Руководитель организации	Дронов Алексей Алексеевич
Регистрационный номер НИОКТР	125060506785-5
Последний статус	Подтверждена, 626020300380-8, 2026-02-03 10:47:59 UTC
ОКПД	Услуги (работы), связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области технических наук и в области технологий, прочие, не включенные в другие группировки, кроме биотехнологии
Ключевые слова	внутренний монтаж; flip-chip; RDL; многокристальные модуль
Исполнители	ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
Авторы	Тимошенков Сергей Петрович; Евстафьев Сергей Сергеевич; Беляков Игорь Андреевич; Кочергин Михаил Дмитриевич; Вертянов Денис Васильевич
Коды тематических рубрик	61.61.29 - Усиленные пластмассы, композиционные и наполненные материалы; 47.13.19 - Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры; 47.13.13 - Технология и оборудование для производства радиодеталей и компонентов; 47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
OESR	Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития	а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;