Глобальный поиск Единое окно поиска по РИД и запросам

Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин

Наименование РИД Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин
Реферат Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и, в частности, к хорошо контролируемым методам нагрева полупроводниковых пластин. Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин содержит тонкую прямоугольную кварцевую реакционную камеру с первым открытым концом, сопряженным с фланцем из нержавеющей стали с загрузочным окном фланца для загрузки пластин, нагреватель и держатель пластин. Дополнительно в устройство введены два закрепленных на загрузочном окне фланца стержня, на которых крепится держатель для пластин, подвижный держатель реакционный камеры, который может передвигаться из зоны нагрева в зону охлаждения, термопара для измерения температуры и управления процессом отжига, патрубок для ввода газа, электронный контроллер температуры и вентиляторы воздушного охлаждения, при этом второй конец реакционной камеры имеет патрубок для вывода газа. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции устройства при сохранении основных возможностей, связанных с повышением максимальной скорости нагрева и охлаждения, повышением температуры термической обработки полупроводниковых пластин в условиях газовой среды, повышением производительности установки за счет упрощения процесса отжига.
Возможные направления использования Одно из применений данного изобретения относится к области минимизации контактного сопротивления напыленных металлизированных контактов к полупроводниковым структурам путем их быстрого термического отжига и может найти применение, как в полупроводниковых лазерах, так и в любых полупроводниковых приборах, где требуется минимальное контактное сопротивление напыленных контактов: транзисторы, диоды, солнечные элементы.
Количество опытных образцов 1
Количество просмотров 4
Наличие дополнительных файлов True
Использование РИД правообладателем False
Внешнее использование РИД False
НИОКТР (JSON) {}
ИКСИ (JSON) []
ИКСПО (JSON) []
ОЭСР (JSON) []
Дата первого статуса 2025-12-26T11:25:10.215462+00:00
Предполагаемый тип результата Изобретение
Ожидаемая роль Исполнитель
Заказчик МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Руководитель работы Слипченко Сергей Олегович
Руководитель организации Иванов Сергей Викторович
Регистрационный номер НИОКТР 125041105143-7
Последний статус Подтверждена, 626011600166-3, 2026-01-16 10:36:49 UTC
ОКПД Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
Ключевые слова Контролируемый нагрев; Полупроводниковая пластина; обработка пластин
Исполнители ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Авторы Бондарев Александр Дмитриевич; Слипченко Сергей Олегович; Арсентьев Иван Никитич; Пихтин Никита Александрович
Коды тематических рубрик 47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники; 29.33.15 - Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
OESR Нано-материалы [производство и свойства]; Электротехника и электроника
Приоритеты научно-технического развития а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;