| Наименование РИД |
Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин
|
| Реферат |
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и, в частности, к хорошо контролируемым методам нагрева полупроводниковых пластин. Устройство быстрой термической обработки полупроводниковых пластин содержит тонкую прямоугольную кварцевую реакционную камеру с первым открытым концом, сопряженным с фланцем из нержавеющей стали с загрузочным окном фланца для загрузки пластин, нагреватель и держатель пластин. Дополнительно в устройство введены два закрепленных на загрузочном окне фланца стержня, на которых крепится держатель для пластин, подвижный держатель реакционный камеры, который может передвигаться из зоны нагрева в зону охлаждения, термопара для измерения температуры и управления процессом отжига, патрубок для ввода газа, электронный контроллер температуры и вентиляторы воздушного охлаждения, при этом второй конец реакционной камеры имеет патрубок для вывода газа. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции устройства при сохранении основных возможностей, связанных с повышением максимальной скорости нагрева и охлаждения, повышением температуры термической обработки полупроводниковых пластин в условиях газовой среды, повышением производительности установки за счет упрощения процесса отжига.
|
| Возможные направления использования |
Одно из применений данного изобретения относится к области минимизации контактного сопротивления напыленных металлизированных контактов к полупроводниковым структурам путем их быстрого термического отжига и может найти применение, как в полупроводниковых лазерах, так и в любых полупроводниковых приборах, где требуется минимальное контактное сопротивление напыленных контактов: транзисторы, диоды, солнечные элементы.
|
| Количество опытных образцов |
1
|
| Количество просмотров |
4
|
| Наличие дополнительных файлов |
True
|
| Использование РИД правообладателем |
False
|
| Внешнее использование РИД |
False
|
| НИОКТР (JSON) |
{}
|
| ИКСИ (JSON) |
[]
|
| ИКСПО (JSON) |
[]
|
| ОЭСР (JSON) |
[]
|
| Дата первого статуса |
2025-12-26T11:25:10.215462+00:00
|
| Предполагаемый тип результата |
Изобретение
|
| Ожидаемая роль |
Исполнитель
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Руководитель работы |
Слипченко Сергей Олегович
|
| Руководитель организации |
Иванов Сергей Викторович
|
| Регистрационный номер НИОКТР |
125041105143-7
|
| Последний статус |
Подтверждена, 626011600166-3, 2026-01-16 10:36:49 UTC
|
| ОКПД |
Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
|
| Ключевые слова |
Контролируемый нагрев; Полупроводниковая пластина; обработка пластин
|
| Исполнители |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
|
| Авторы |
Бондарев Александр Дмитриевич; Слипченко Сергей Олегович; Арсентьев Иван Никитич; Пихтин Никита Александрович
|
| Коды тематических рубрик |
47.13.11 - Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники; 47.13.07 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники; 29.33.15 - Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
|
| OESR |
Нано-материалы [производство и свойства]; Электротехника и электроника
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|