| Название НИОКТР |
Разработка технологии изготовления микроэлектронного пространственного модулятора терагерцового излучения на основе тонких полупроводниковых пленок для систем связи и устройств визуализации
|
| Аннотация |
Для решения практически всех прикладных задач в области систем связи и устройств визуализации необходима возможность управлять амплитудой или фазой излучения. Отдельный интерес представляет управление амплитудой или фазой с пространственным разрешением. Поэтому в настоящий момент имеется потребность в разработке многопиксельных пространственных модуляторов терагерцового излучения для систем связи и устройств визуализации. Основными характеристиками подобных устройств являются тип модуляции излучения, рабочий диапазон частот, глубина модуляции, быстродействие и количество пикселей в устройстве. Создание таких модуляторов связано с созданием и реализацией физических методов модуляции излучения в данном диапазоне, при этом для практических нужд желательно, чтобы глубину модуляции можно было бы изменять при помощи электрического управляющего сигнала.
Данный проект направлен на разработку лабораторной технологии изготовления микроэлектронного пространственного модулятора терагерцового излучения для систем связи и устройств визуализации на основе тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур. В ходе работ по проекту планируется выбрать концепцию устройства единичного пикселя модулятора, изготовить и испытать опытный образец единичного пикселя, предложить технологию изготовления (сборки) матричных модуляторов, изготовить и испытать опытный образец матричного модулятора, разработать соответствующую лабораторную технологическую документацию. Для решения поставленных задач предлагается использовать подход, основанный на применения активных метаповерхностей с GaN/AlGaN полевыми транзисторами в качестве активных элементов. Предлагаемый модулятор будет осуществлять амплитудную модуляцию терагерцового излучения при работе на пропускание. Управление пропусканием такой метаповерхности будет осуществляться при помощи управления её импедансом на частоте проходящего терагерцового излучения. Для этого будут использоваться активные элементы в виде GaN/AlGaN полевых транзисторов, способных под действием электрического управляющего сигнала, приложенного к их затворам, закорачивать между собой отдельные элементы метаповерхности, меняя тем самым её импеданс. Этот подход, как ожидается, позволит достичь глубины амплитудной модуляции на выбранной частоте не менее 80%, и быстродействия не хуже 0,1 мс. В рамках работ по проекту также будет сделан упор на том, чтобы разрабатываемая технология была легко интегрируема в производственные линейки современных полупроводниковых производств.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
21000.0
|
| Дата начала |
2025-01-01
|
| Дата окончания |
2026-12-31
|
| Номер контракта |
СОГЛАШЕНИЕ № 24-91-26005
|
| Дата контракта |
2024-12-13
|
| Количество отчетов |
2
|
| УДК |
539.23 539.216.1
|
| Количество просмотров |
9
|
| Руководитель работы |
Муравьев Вячеслав Михайлович
|
| Руководитель организации |
Левченко Александр Алексеевич
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИМЕНИ Ю.А. ОСИПЬЯНА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
|
| Заказчик |
Российский научный фонд
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
—
|
| Основание НИОКТР |
Грант
|
| Последний статус |
2025-07-15 20:12:43 UTC, 2025-07-15 20:12:43 UTC
|
| ОКПД |
Работы оригинальные научных исследований и экспериментальных разработок в области естественных и технических наук, кроме биотехнологии
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
технологии изготовления; микроэлектронный пространственный модулятор терагерцового излучения; тонкие полупроводниковые пленки; системы связи; устройства визуализации
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Разработка и лабораторная проверка ключевых элементов технологии
|
| Приоритетные направления |
Информационно-телекоммуникационные системы
|
| Критические технологии |
Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
|
| Рубрикатор |
29.19.22 - Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры; 29.19.31 - Полупроводники
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость)
|
| Приоритеты научно-технического развития |
д) противодействие техногенным, биогенным, социокультурным угрозам, терроризму и экстремистской идеологии, деструктивному иностранному информационно-психологическому воздействию, а также киберугрозам и иным источникам опасности для общества, экономики и государства, укрепление обороноспособности и национальной безопасности страны в условиях роста гибридных угроз;
|
| Регистрационные номера |
—
|
