| Название НИОКТР |
Разработка технологии получения высокочистого поликристаллического антимонида галлия (GaSb)
|
| Аннотация |
Антимонид галлия - прямозонный полупроводник группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0,726 эВ при 300 К. Монокристаллы антимонида галлия используются в производстве оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, лазеров на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм), тензометров. Необходимость увеличения диаметра монокристаллов при сохранении совершенства структуры обуславливает потребность в получении высокочистого поликристаллического антимонида галлия – сырья для производства монокристаллов.
Одно из главных требований к материалу – наименьшая плотность дислокаций и равномерное их распределение по поверхности. Микропримесный состав поликристаллического сырья неизбежно сказывается на качестве выращиваемого монокристалла, поскольку внедрение в кристаллическую решетку чужеродных атомов нарушает совершенность структуры.
Получение высокочистого поликристаллического антимонида галлия позволит производить монокристаллы большего диаметра для фотоприемных матриц и излучателей, поскольку высокая чистота позволит достичь минимального распределения примесей (а, следовательно, и плотности дислокаций) не только по длине монокристалла, но и радиально (по диаметру). Проект направлен на достижение лидерства в важнейшей области научно-технического развития РФ – области оптоэлектроники, фотоники и лазерной техники. Стремительное развитие в данной области обуславливает необходимость создания усовершенствованных приборов, в том числе крупноформатных матриц с высокой чувствительностью и разрешением для “смотрящих” оптоэлектронных систем. Однако, при создании крупноформатных матриц из монокристаллов большого диаметра производители столкнулись с проблемой – существенным увеличением шумов и нестабильностью тока вследствие несовершенства структуры.
На данный момент сырье, используемое для производства монокристаллов GaSb – поликристаллический антимонид галлия, не подвергается испытаниям (контролю) на химическую чистоту, однако именно это является определяющим фактором, влияющим на качество получаемых монокристаллов, а следовательно, и производимых в дальнейшем пластин и матриц. Высокое содержание примесей в поликристалле негативно сказывается на росте монокристалла вследствие неравномерного распределения по длине и диаметру, что нарушает целостность кристаллической решетки. Встраивание чужеродных атомов в решетку в процессе роста монокристалла приводит к возникновению большого числа дефектов, что напрямую влияет на полупроводниковые свойства материала.
При использовании крупногабаритных монокристаллов с большим количеством структурных дефектов в производстве матриц, неизбежно возникает проблема с воспроизводимостью и качеством приборов, изготавливаемых на их основе – более 50 % оказываются непригодными для использования в реальных условиях.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
15000.0
|
| Дата начала |
2025-06-30
|
| Дата окончания |
2025-12-15
|
| Номер контракта |
Приказ ОП №06.49-05-0978/25 "Об открытии научно-исследовательских работ (научных проектов), реализуемых в рамках стратегических проектов Программы стратегического академического лидерства «Приоритет 2030»"
|
| Дата контракта |
2025-06-30
|
| Количество отчетов |
1
|
| УДК |
621.315.592
|
| Количество просмотров |
5
|
| Руководитель работы |
Мочалов Леонид Александрович
|
| Руководитель организации |
Грязнов Михаил Юрьевич
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО"
|
| Заказчик |
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
Фундаментальные и поисковые научные исследования
|
| Основание НИОКТР |
Грант
|
| Последний статус |
2025-08-11 07:25:37 UTC, 2025-08-11 07:25:37 UTC
|
| ОКПД |
—
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
Высокочистые вещества; Полупроводник A3B5; Антимонид галлия
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Выбор технологической концепции; Поисковое (ориентированные фундаментальные) исследование
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
47.09.29 - Полупроводниковые материалы
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Химические технологии
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
—
|
