Разработка научно-технологических основ изготовления высокопроизводительных устройств наноэлектроники на основе перспективных сегнетоэлектрических материалов
| Название НИОКТР | Разработка научно-технологических основ изготовления высокопроизводительных устройств наноэлектроники на основе перспективных сегнетоэлектрических материалов |
|---|---|
| Аннотация | Общей целью научного исследования является разработка перспективных наноразмерных сегнетоэлектрических материалов и функциональных структур для инновационных устройств наноэлектроники с высокими техническими характеристиками. В частности, заявляется разработка технологических процессов синтеза новых сегнетоэлектрических материалов со структурой вюрцита, выяснение их физическо-химических свойств и их функционализация для использования в устройствах энергонезависимой памяти. В том числе, будут разработаны процессы формирования КМОП-совместимых сегнетоэлектрических пленок AlScN, выполнено комплексное исследование их физико-химических свойств, изготовлены элементы хранения сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом и изучены физические механизмы, определяющие окно памяти и параметры надежности элементов хранения. Одновременно будут исследованы возможности использования наноразмерных сегнетоэлектрических материалов со структурой флюорита (сверхтонкие пленки HfxZr1-xOy) для разработки универсальных гибридных блоков для хранения информации и нейроморфных вычислений в памяти (in-memory computing). С этой целью будут исследованы подходы к инжинирингу дефектов различного типа в функциональных структурах на основе сверхтонких пленок HfxZr1-xOy, определяющих динамику их резистивного состояния. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 51882.546 |
| Дата начала | 2025-01-01 |
| Дата окончания | 2027-12-31 |
| Номер контракта | 075-03-2025-662 |
| Дата контракта | 2025-01-17 |
| Количество отчетов | 3 |
| УДК | |
| Количество просмотров | 12 |
| Руководитель работы | Чуприк Анастасия Александровна |
| Руководитель организации | Баган Виталий Анатольевич |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)" |
| Заказчик | МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | Фундаментальные и поисковые научные исследования |
| Основание НИОКТР | Государственное задание |
| Последний статус | 2025-09-16 10:02:07 UTC, 2025-09-16 10:02:07 UTC |
| ОКПД | Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области физики |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | сегнетоэлектрические пленки; энергонезависимая память; оксид гафния; сегнетоэлектрическая память; нитрид алюминия-скандия; cегнетоэлектрики; вычисления в памяти |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Фундаментальное исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.09.48 - Наноматериалы для электроники; 47.14.07 - Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники; 47.09.33 - Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики; 29.35.14 - Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики |
| OECD | — |
| OESR | Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость); Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | ikrbs: {'card_list': [{'id': '2F3RCMAFVOEXUJ78ACO83VBQ'}]} |