Создание диодов с высоким значением пробивных напряжений на основе нового широкозонного материала — оксида галлия
| Название НИОКТР | Создание диодов с высоким значением пробивных напряжений на основе нового широкозонного материала — оксида галлия |
|---|---|
| Аннотация | Проект будет направлен на проектирование и создание выпрямительных диодов с пробивным напряжением превышающем 1000 вольт на основе нового материала - оксида галлия. Оксид галлия - широкозонный полупроводник, который во всём мире считается основой для силовых устройств четвёртого поколения (первое поколение - кремниевые устройства, второе - карбид кремния, третье - нитриды третьей группы). Он обладает высочайшим пробивным напряжением, близким к таковому у алмаза, высокой подвижностью электронов. Использование оксида галлия для производства силовых устройств (диодов, транзисторов, симисторов, переключателей) требует новых технологий, которые в настоящее время во всём мире находятся в стадии испытаний. В России есть несколько исследовательских лабораторий, занимающихся исследованием этого нового материала, так что у нашей страны ещё есть возможность конкурировать с мировыми лидерами в производстве и стать важным игроком на мировом рынке таких приборов. А это очень важно, ведь рынок силовых устройств всё растёт. В качестве примера можно привести электрозарядные станции, мощность которых явно ограничена величинами пробивных напряжений и пропускаемых токов. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 18000.0 |
| Дата начала | 2025-09-10 |
| Дата окончания | 2028-06-30 |
| Номер контракта | 25-72-10020 |
| Дата контракта | 2025-09-10 |
| Количество отчетов | 3 |
| УДК | 53.082.72/.78 |
| Количество просмотров | 3 |
| Руководитель работы | Щемеров Иван Васильевич |
| Руководитель организации | Босова Елена Владимировна |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСИС" |
| Заказчик | Российский научный фонд |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Грант |
| Последний статус | 2025-09-22 11:15:00 UTC, 2025-09-22 11:15:00 UTC |
| ОКПД | Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области физики |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | гетероструктуры; полиморфизм; силовая электроника; диоды Шоттки; высоковольтные диоды; пробивное напряжение; ионная имплантация; выпрямители; Ga2O3; Широкозонные полупроводники |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Фундаментальное исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 29.19.11 - Дефекты кристаллической структуры; 29.03.35 - Электрические и магнитные измерения в физическом эксперименте |
| OECD | — |
| OESR | Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость) |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | — |