Управление режимами поверхностной проводимости в топологических изоляторах и полуметаллах
| Название НИОКТР | Управление режимами поверхностной проводимости в топологических изоляторах и полуметаллах |
|---|---|
| Аннотация | Растущие требования к объему информации и скорости ее обработки в сочетании с миниатюризацией электронных устройств стимулируют развитие полупроводниковых технологий. Однако, в настоящее время существующие технологии микроэлектронных устройств вплотную приблизились к фундаментальным ограничениям по размерам и энергопотреблению элементов современной интегральной электроники. В связи с этим особую актуальность приобретает поиск новой технологической парадигмы, которая будет определять магистральный путь развития микроэлектроники, как минимум, в среднесрочной перспективе. Один из возможных путей дальнейшего развития микроэлектроники связан с применением материалов с нетривиальными топологическими фазами, в частности, топологических изоляторов (ТИ) и топологических полуметаллов (ТПМ). Бездиссипативный перенос заряда и спина поверхностными состояниями в ТИ позволяет рассчитывать на реализацию элементов с сопоставимым современному уровню технологических и конструкторских решений быстродействием и пониженным энергопотреблением на операцию (от единиц до сотен пикосекунд и до десятых аттоджоуля, соответственно). На порядок меньшее энергопотребление прогнозируется и для логических процессоров с полевыми транзисторами на основе ТИ. Однако, практическое применение топологических материалов затруднено из-за паразитных эффектов, связанных с шунтирующим вкладом объема и боковых поверхностей, а также с необходимостью контроля уровня Ферми и обеспечения режима баллистического транспорта для поверхностных состояний в присутствии поверхностных дефектов. Таким образом, поиск способов управления параметрами поверхностных электронных состояний и режимами поверхностной проводимости в ТИ и ТПМ (в том числе, и магнитных) весьма актуален для развития новых методов и подходов в микроэлектронике, альтернативных традиционным полупроводниковым технологиям. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 21000.0 |
| Дата начала | 2025-05-27 |
| Дата окончания | 2027-12-31 |
| Номер контракта | 25-72-20032 |
| Дата контракта | 2025-05-27 |
| Количество отчетов | 3 |
| УДК | 538.915 |
| Количество просмотров | 4 |
| Руководитель работы | Глушков Владимир Витальевич |
| Руководитель организации | Гарнов Сергей Владимирович |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" |
| Заказчик | Российский научный фонд |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Грант |
| Последний статус | 2025-09-25 07:30:55 UTC, 2025-09-25 07:30:55 UTC |
| ОКПД | Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области физики |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | топологические изоляторы; полевой транзистор; подзатворный диэлектрик; химико-механическое полирование; эффект поля; моносилициды; редкоземельные гексабориды; поверхностная проводимость; топологические полуметаллы |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Фундаментальное исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 29.19.24 - Электронная структура твердых тел |
| OECD | — |
| OESR | Физика конденсированного состояния (включая физику твердого тела, сверхпроводимость) |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | — |