Разработка образцов датчиков магнитного поля на эффекте Холла с малым отклонением от линейности характеристик в сильном магнитном поле
| Название НИОКТР | Разработка образцов датчиков магнитного поля на эффекте Холла с малым отклонением от линейности характеристик в сильном магнитном поле |
|---|---|
| Аннотация | При выполнении будет исследована возможность синтеза датчиков Холла на основе слоев узкозонных полупроводников A3B5 с высокой характеристикой линейности в сильном магнитном поле. В результате выполнения НИР будут изготовлены лабораторные образцы датчиков магнитного поля на эффекте Холла с малым отклонением от линейности в сильном магнитном поле. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 600.0 |
| Дата начала | 2025-08-11 |
| Дата окончания | 2025-09-19 |
| Номер контракта | ДОГОВОР № 100-04867 |
| Дата контракта | 2025-08-11 |
| Количество отчетов | 1 |
| УДК | 621.382-027.31; 621.382:658.512.2; 621.382.049.77-027.31; 621.382.049.77:658.512.2 |
| Количество просмотров | 7 |
| Руководитель работы | Дорохин Михаил Владимирович |
| Руководитель организации | Грязнов Михаил Юрьевич |
| Исполнитель | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО" |
| Заказчик | ОБЪЕДИНЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Договор со сторонней организацией |
| Последний статус | 2025-09-25 09:05:30 UTC, 2025-09-25 09:05:30 UTC |
| ОКПД | Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | Эффект Холла; датчик магнитного поля; ЭДС; сопротивление Холла |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Поисковое (ориентированные фундаментальные) исследование |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.14.07 - Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники |
| OECD | — |
| OESR | Нано-материалы [производство и свойства] |
| Приоритеты научно-технического развития | а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта; |
| Регистрационные номера | ikrbs: {'card_list': [{'id': 'K9Q8ANJMYPGH6NIEOS60MNQX'}]} |