Разработка базовой технологии перспективных широкозонных нитридных гетероструктур AlGalnN и AlGaN и создание на их основе образцов оптоэлектронных устройств различного назначения
| Название НИОКТР | Разработка базовой технологии перспективных широкозонных нитридных гетероструктур AlGalnN и AlGaN и создание на их основе образцов оптоэлектронных устройств различного назначения |
|---|---|
| Аннотация | Работа посвящена разработке базовой технологии перспективных широкозонных нитридных гетероструктур AlGaN и AlGalnN на подложках GaN и SiC, излучающих в диапазонах длин волн 410 - 460 нм 510 - 530 нм, для создания на их основе лазерных диодов и светодиодов. В ходе выполнения составных частей работы планируется разработка технического проекта по технологии изготовления гетероструктур с применением метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (MOCVD), будет осуществлена подготовка комплекта конструкторской и технологической документация с литерой «О1» на гетероструктуры AlGaN и AllnGaN с плотностью дефектов менее 106 см-2 полученных методом MOCVD, для приборов компонентной базы фотоники и оптоэлектроники. Планируются к изготовлению опытные образцы гетероструктур AlGalnN и AlGaN методом MOCVD и макетные образцы светодиодов на их основе. |
| Доступ к ОКОГУ исполнителя | False |
| Количество связанных РИД | 0 |
| Количество завершенных ИКРБС | 0 |
| Сумма бюджета | 21000.0 |
| Дата начала | 2025-07-07 |
| Дата окончания | 2026-10-17 |
| Номер контракта | 816/25/М2.1 |
| Дата контракта | 2025-07-07 |
| Количество отчетов | 2 |
| УДК | 621.373.826; 621.375.826 |
| Количество просмотров | 3 |
| Руководитель работы | Меженный Михаил Валерьевич |
| Руководитель организации | Еськин Андрей Владимирович |
| Исполнитель | АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ОПТРОН" |
| Заказчик | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" |
| Федеральная программа | Отсутствует |
| Госпрограмма | — |
| Основание НИОКТР | Договор со сторонней организацией |
| Последний статус | 2025-10-02 08:39:46 UTC, 2025-10-02 08:39:46 UTC |
| ОКПД | Диоды лазерные (полупроводниковые лазеры) |
| Отраслевой сегмент | — |
| Минздрав | — |
| Межгосударственная целевая программа | — |
| Ключевые слова | нитрид галлия; МОС-гидридная эпитаксия; светодиоды; гетероструктуры широкозонных нитридных материалов; твёрдые растворы нитридов третьей группы; подложка карбида кремния; подложка нитрида галлия; лазерные диоды |
| Соисполнители | — |
| Типы НИОКТР | Опытно-конструкторские работы |
| Приоритетные направления | — |
| Критические технологии | — |
| Рубрикатор | 47.09.29 - Полупроводниковые материалы; 47.35.31 - Лазеры |
| OECD | — |
| OESR | Электротехника и электроника |
| Приоритеты научно-технического развития | Отсутствует |
| Регистрационные номера | — |