| Название НИОКТР |
Микроразмерная интеграция GaAs на
неразориентированных подложках Si(001) для
оптоэлектроники
|
| Аннотация |
Проект направлен на разработку технологии прямой интеграции монокристаллических структур GaAs микронного и субмикронного размеров на неразориентированных подложках Si(001) как перспективного способа создания активной среды для элементной базы интегральной фотоники и оптоэлектроники, в первую очередь – компактных источников оптического излучения ближнего ИК-диапазона. Актуальность решаемой в рамках проекта научной проблемы обусловлена необходимостью разработки новых архитектурных и технологических подходов для создания высокопроизводительных и энергоэффективных систем передачи, обработки и хранения данных, сочетающих достоинства и возможности кремниевой интегральной технологии и технологии полупроводников A3B5. Основной проблемой данного подхода является сложность получения высококачественных с точки зрения кристаллической структуры полупроводников А3В5 при гетерогенной интеграции в сравнении с гомогенными структурами. Поэтому одной из ключевых задач в рамках развития данного направления является разработка конструктивно-технологических подходов прямой (монолитной) интеграции полупроводников А3В5 на кремниевых подложках, обеспечивающих структурные и функциональные характеристики материалов и оптоэлектронных и фотонных устройств на их основе, сопоставимые с дискретными решениями.
Основной идеей проекта является использование для локальной интеграции GaAs на кремниевой подложке сочетания возможностей технологии капельной эпитаксии и нано- и микроразмерного структурирования поверхности неразориентированных (on-axis) подложек Si(001) со слоем SiO2, т. е. селективного получения отдельных монокристаллических структур GaAs субмикронных размеров. Проект подразумевает комплексную проработку всех основных этапов на пути к разработке технологии микроразмерной интеграции GaAs на подложках кремния с использованием обозначенного подхода – от целенаправленного структурирования подложек, обеспечивающего конкретный тип морфологии, до комплексной оптимизации разрабатываемых в рамках предлагаемого подхода методик с целью обеспечения требуемого оптического и структурного качества эпитаксиального материала. Ожидается, что именно микроразмерная интеграция, т. е. интеграции отдельных монокристаллов GaAs субмикронных размеров на кремниевой подложке, позволит, с одной стороны, обеспечить высокое структурное совершенство материала, а с другой, обеспечить полноценную конструктивно-технологическую и функциональную интеграцию компактных источников света, в том числе, неклассического (квантового), в фотонные интегральные схемы на основе кремния. Это позволит не только существенным образом расширить функционал и область применения существующих решений в области интегральной оптоэлектроники и фотоники, но и перейти к полноценным гибридным архитектурам, сочетающим преимущества кремниевой технологии и полупроводников А3В5.
|
| Доступ к ОКОГУ исполнителя |
False
|
| Количество связанных РИД |
0
|
| Количество завершенных ИКРБС |
0
|
| Сумма бюджета |
3000.0
|
| Дата начала |
2026-01-01
|
| Дата окончания |
2027-12-31
|
| Номер контракта |
25-29-01239
|
| Дата контракта |
2026-01-01
|
| Количество отчетов |
1
|
| УДК |
621.373.8:658.274; 621.375.8:658.274
|
| Количество просмотров |
1
|
| Руководитель работы |
Шандыба Никита Андреевич
|
| Руководитель организации |
Веретенникова Вера Анатольевна
|
| Исполнитель |
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
|
| Заказчик |
Российский научный фонд
|
| Федеральная программа |
Отсутствует
|
| Госпрограмма |
—
|
| Основание НИОКТР |
Грант
|
| Последний статус |
2026-02-02 12:04:03 UTC, 2026-02-02 12:04:03 UTC
|
| ОКПД |
Услуги, связанные с научными исследованиями и экспериментальными разработками в области нанотехнологий
|
| Отраслевой сегмент |
—
|
| Минздрав |
—
|
| Межгосударственная целевая программа |
—
|
| Ключевые слова |
Фокусированный ионный пучок, молекулярно-лучевая эпитаксия, капельная эпитаксия, A3B5, селективная эпитаксия, кремний, монолитная интеграция, гетероструктуры
|
| Соисполнители |
—
|
| Типы НИОКТР |
Фундаментальное исследование
|
| Приоритетные направления |
—
|
| Критические технологии |
—
|
| Рубрикатор |
47.13.06 - Технология и оборудование для производства приборов и устройств квантовой электроники
|
| OECD |
—
|
| OESR |
Нано-материалы [производство и свойства]
|
| Приоритеты научно-технического развития |
а) переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта;
|
| Регистрационные номера |
—
|
